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Samsung 850 EVO 2,5" (1TB) Solid-State-Drive

Artikel-Nr. 8806086523042

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Samsung 850 EVO 2,5" (1TB) Solid-State-Drive

Artikel-Nr. 8806086523042

  • 1.000 GB Speicherkapazität
  • 2,5" Formfaktor
  • SATA 6 Gb/s Schnittstelle (Abwärtskompatibel zu SATA 3 Gb/s & SATA 1,5Gb/s)
  • Lesegeschwindigkeit bis zu 540 MB/sec
  • Schreibgeschwindigkeit bis zu 520 MB/sec
  • Samsung MGX Controller
  • Samsung 3-Bit 3D V-NAND mit 32 Schichten
  • Samsung 1.024 MB Low Power DDR3 SDRAM
  • AES 256 Bit Verschlüsselung (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted Drive)
  • CHIP Online - Testurteil: sehr gut - Ausgabe 07/2015
  • PCgo - Testurteil: sehr gut - Ausgabe 04/2015
  • PC Magazin - Testurteil: sehr gut - Ausgabe 03/2015

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Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie?  
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.
 
Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie.  
Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
**Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).
 
Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur.  
Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid Mode).
 
Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V-NAND-Technologie.  
Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO** Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW-Wert* (Total Bytes Written, Mindest-Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien*** macht.
*TBW: Total Bytes Written.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB).
***Ununterbrochene Leistung (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO),
Gemessene Leistung nach 12 Stunden im Belastungstest mit wahlfreien Schreibzugriffen.
 
Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND.  
Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
*Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Samsung 850 EVO 2,5" (1TB) Solid-State-Drive

Technische Merkmale

  
Leistungseigenschaften :
Solid-State-Disk (GB) : 1000
Lesegeschwindigkeit (MB/s) : 540
Schreibgeschwindigkeit (MB/s) : 520
Random Read (IOPS) : 98000
Random Write (IOPS) : 90000
Cache Speicher (MB) : 1024
Hardwareverschlüsselung : Ja
TRIM Unterstützung : Ja
Garbage Collection : Ja
SMART Unterstützung : Ja
mittl. Lebensdauer MTBF (in Tsd. Std.) : 1500
Schnittstellen :
Serial ATA 6,0 Gbit/s (SATA III) : Ja
Stromversorgung :
Leistungsaufnahme (W) : 4
Gehäuse-Eigenschaften :
min. Betriebstemperatur (°C) : 0
max. Betriebstemperatur (°C) : 70
Breite (cm) : 6.99
Höhe (cm) : 0.68
Tiefe (cm) : 10
Gewicht (g) : 66
  

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Hersteller Info

Samsung Markenshop Hinter dem Namen Samsung steht eine bombastische Erfolgsgeschichte Made in Süd-Korea. Als großer Mischkonzern bietet Samsung Produkte und Dienstleistungen in den unterschiedlichsten Bereichen an und gehört in diesen zu den Besten der Welt. Einer dieser Bereiche ist die Unterhaltungselektronik. Hier erarbeitete sich das Unternehmen Anfang des neuen Jahrtausends einen technologischen Vorsprung und brachte es so zur Marktführerschaft auf dem TV-Markt. Und das zurecht: Futuristisch designet und ausgestattet mit der neuesten Technik sind Fernseher, Heimkinosysteme und HiFi-Produkte von Samsung ein Highlight für jedes Wohnzimmer.

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